DPG30C300HB
0 200 400 600100 300 500
20
30
[ns]
40
50
60
70
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Kf
1.0
1.2
1.4
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
[V]
6
8
V
10
FR
12
14
16
0
100
200
300
400
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
6
8
10RM
12
14
16
0 100 200 300 400 500 600
0.0
0.1
C]
0.2
0.3
0.4
0.5
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
20
40
60
80
I
[A]
Qrr
[μ
IF
[A]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
trr
VFR
tfr
IRM
Qrr
7.5 A
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
7.5 A
15 A
IF
=30A
-diF/dt [A/μs]
tfr
[ns]
1 10 100 1000 10000
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
t[ms]
ZthJC
[K/W]
0 100 200 300 400 500 600
0
2
4
6
8
J]
10rec
12
14
16
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
30 A
15 A
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current
IRM
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRM
versus TVJ
Fig. 5 Typ. recovery time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
TVJ
=25°C
150°C
IF= 30 A
IF= 15 A
IF= 7.5 A
IF
= 30 A
IF
= 15 A
IF
= 7.5 A
TVJ= 125°C
VR
= 200 V
TVJ= 125°C
I
F
=15A
VR
= 200 V
TVJ=125°C
VR
=200V
TVJ=125°C
VR
= 200 V
TVJ=125°C
VR
= 200 V
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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